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导通电阻最低的MOSFET器件SiZ71

发布时间:2019-11-30 11:23:03 编辑:笔名

导通电阻最低的MOSFET器件SiZ710DT(Vishay)

在PowerPAIR封装出现之前,设计者只能使用两个单独的器件来达到系统电源、POL、低电流DC/DC,以及笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器和游戏机所需的低导通电阻和更高的最大电流。SiZ710DT的性能规格使设计者能用SiZ710DT比两个分立 PowerPAK 器件小1/3,或是比两个分立SO-8 器件小2/3的一个器件完成设计,节省方案成本和空间,包括两个分立MOSFET之间的PCB间隙和标注面积。此外,在更低电流和更低电压应用中替换SO-8器件还可以提高效率。

一片PowerPAK 或SO-8的导通电阻可以分别低至5m 或4m 。然而,SiZ710DT的低边Channel 2 MOSFET利用了非对称结构在优化空间上的效果,在10V和4.5V下的导通电阻低至3.3m 和4.3m ,在+25℃和+70℃下的最大电流为30A和24A。另外,高边Channel 1 MOSFET的导通电阻也有改善,在10V和4.5V下分别为6.8m 和9.0m 。

由于两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部连接,布线变得更加简单,同时也减小了PCB印制的寄生电感,提高了效率。此外,SiZ710DT的引脚进行了精心布置,输入引脚排在一侧,输出引脚排在另一侧。

器件通过Rg和UIS的所有测试,符合RoHS指令2002/95/EC,并满足IEC 的无卤素规定。

器件规格表:

通道 VDSVGSRDS(ON) @ 10 VRDS(ON) @ 4.5 VQg (typ)ID @

TA = 25 °CID @

TA = 70 °C

1

20 V

± 20 V

6.8 m

9.0 m

6.9 nC

16 A

15 A

2

20 V

± 20 V

3.3 m

4.3 m

18.2 nC

30 A

24 A

新款SiZ710DT TrenchFET功率MOSFET现可提供样品,并已实现量产,大宗订货的供货周期为十二周到十四周。

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